4 дюйма Н Тип арсенида галлия вафли Диаметр 100 мм полупроводниковые Материал IC

Арсенид галлия, химический GaAs, входит в состав группы III-V compound semiconductor. Состоит из мышьяка и галлия. Он имеет яркий Серый внешний вид, металлический блеск, хрупкий и жесткий. Это самый зрелый компаундовый полупроводниковый материал после кремния. Имеет Высокочастотный и высокоэлектронный переход. Преимущества скорости переключения, высокой выходной мощности, низкого уровня шума и хорошей линейности являются одним из самых важных поддерживающих материалов в оптоэлектронике и микроэлектронной промышленности.

На уровне применения оптоэлектронной промышленности одиночный Кристалл GaAs может быть использован для изготовления LD (лазер), светодиодный (светоизлучающий диод), Фотоэлектрической интегральной схемы (OEIC), фотоэлектрических устройств и т. Д.
На уровне применения микроэлектроники, его можно использовать для изготовления MESFET (металлический полупроводниковый полевой транзистор), HEMT (высокоэлектронный транзистор подвижности), HBT (гетеросъемный биполярный транзистор), IC, СВЧ-диод, устройство Холла и т. Д.

В основном это высокотехнологичные военные электронные приложения, волоконно-оптические системы связи, широкополосные спутниковые беспроводные системы связи, испытательные приборы, автомобильная электроника, лазер, освещение и другие области. Как важный полупроводниковый материал, GaAs имеет в пять раз больше электронной подвижности кремния и нитрида галлия, и имеет меньшую потерю мощности для микроволновых устройств малой и средней мощности. Поэтому GaAs играет главенствующую роль в мобильной связи, локальной беспроводной сети, gps и автомобильных радаров.