Одна сторона полированная монокристаллического Si подложки 3*3 мм/высокой чистоты кремниевой подложке/биологического носителя

Описание

Технические характеристики:

1. Материал: силикон высокой чистоты

2. Длина: 3 мм

3. Ширина: 3 мм

4. Толщина: 650um, 725um

5. Удельное сопротивление: 0,001-50/Ω∙см

6. Направленность: <100>

7. Полировка: односторонняя полировка

8. Планность: <1 микрометр

9. Основное применение: Для процесса синхротронного излучения носителя образцов, PVD/CVD покрытие подложки, магнетронное распыление, XRD, SEM, рост образца атомная сила, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия анализ тестовая подложка, подложка, молекулярный лучевой эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.