Одна сторона полированная монокристаллического Si подложки 10 мм * 10 мм/высокой чистоты кремниевой подложке/200um ультра тонкая пленка

Описание

Технические характеристики:

1. Материал: Кремний высокой чистоты

2. Длина: 10 мм

3. Ширина: 10 мм

4. Толщина: 200 мкм ультра тонкая пленка

5. Сопротивление: 0,001-50/Ω∙cm

6. Направление: <100>

7. Полировка: односторонняя полировка

8. плоскость: <1 микрометр

9. Основное применение: Для процесса синхротронного излучения носителя образца, PVD/CVD покрытие подложки, магнетронного распыления, XRD, SEM, рост атомной силы образца, инфракрасной спектроскопии, флуоресцентной спектроскопии анализа тестовая подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.