
| Тип параметра | СиТехнический индекс |
| Размер продукта | 5 ВеликобританииДюймов |
| Метод роста | Зона плавления один с украшением в виде кристаллов(FZ) |
| Обработка поверхности | На одной сторонеПолировка |
| Диаметр толерантность | 125 мм±0,3 мм |
| Допинг Тип | Нелегированный |
| С украшением в виде кристаллов ориентации | 111 |
| ResistivityΩ | 1000-3000 |
| ПланенессМДП | <3um |
| КороблениеTTV | <10um |
| Степень изгибаЛук | <10um |
| ПолировкаШероховатостьРА | <0.5nm |
| ЗернистостьPewaferr | <(Для размера>0.3um) |
| ТолщинаUm | 300um |
| Цель | Носители образцов для процесса isosynchrotron излученияLPCVD/PECVDCoating as Substrate, образцы, выращенные магнетронным распылением, XRD, SEM,АСМ、 Инфракрасном спектреФлуоресцентная спектроскопия и другой анализ и измерение субстратов, база, выращенная молекулярным пучком эпитакси, XX-ray анализ кристаллических полупроводниковИ другими научными исследованиями. |














