
| Параметр типа | SiТехнический индекс |
| Размер продукта | 4 ВеликобританииДюймов |
| Рост метод | CZ один кристалл(CZ) |
| Полировка поверхности | ДвусторонняяПолировка |
| Диаметр толерантности | 100,2±0,3 мм |
| Допинга типа | NType-легированный фосфор, мышьяк и сурьмония PType B легированный Бор |
| Ориентации кристалла | 100111 |
| ResistivityΩ | <0,0015 ом. см 0,001-0,5 ом. см 1-10 Ом. см |
| ПлоскостнаяМДП | <3um |
| КоробленияTTV | <10um |
| Изгиб степениЛук | <10um |
| ПолировкаШероховатостиRa | <0.5nm |
| ДетализацииPewaferr | <(Для размера>0.3um) |
| ТолщинаUm | 300um 400um 500um |
| Цели | Носители образца для отростчатого излучения isosynchrotronLPCVD/PECVDCoating в качестве подложки, образцы, выращенные магнетронным напылением, XRD, SEM,АСМ、 Инфракрасного спектраФлуоресцентная спектроскопия и другой анализ и измерение субстратов, база, выращенная молекулярным пучком Epitaxy, XX-ray анализ кристаллических полупроводниковИ многие другие научные исследования используют |
Придерживающееся является фотосъемка








