Сапфир Substrate-Al2O3 один кристаллическая подложка-сапфир эпитаксии-светодиодный уровня-на одной стороне, шлифовальные-epi
Описание
Принять настройку размеров и спецификаций
Односторонняя полировка, направление кристаллизации:<0001>,А именноCaxis
Другие Кристальные самолеты, такие как asA, RSurface Настраиваемые.
Сапфир(Al2O3)Это отличное инфракрасное оптическое окно./Материал подложки, диапазон пропускания0,2-5.5um, Высокая термостойкость и твердость, рядом только алмаз, иКислота-щелочи коррозионная стойкостьСапфировые подложки могут также использоваться в качестве эпитаксов в полупроводниковой промышленности, используется для изготовленияСветодиодныйИ т. д. 。
Наш магазин предоставляет отличные сапфировые подложки и оконные материалы, он также может обрабатывать различные размеры и формы в соответствии с вашими требованиями., гарантирует отличную оптическую производительность
Эпитаксии полировка
| Материал | Высокой чистоты один crystalAl2O3 |
| Ориентации | Лапша (0001) ±0. 3 ° |
| Yesmaxis отклонение угол | 0,20 ± 0,05 ° |
| Yesaaxis отклонение угол | 0,0 ± 0,1 ° |
| Dismeter | 50,8 ±0. 15 мм |
| Толщина | 330μm/430μm±25μm |
| Общая толщина отклонение | <10 мкм |
| Поверхность roughnesstir | ≦10μm |
| Степень изгиба WARP | ≦15μm |
| Коробление лук | -10 ~ 0μm |
| Основная плоская расположение | Анадлы (11-20) |
| Плоский угол выключения | 0,0 ± 0,2 ° |
| Основная плоская Длина | 16±0. 5 мм |
| Frontside прибор шероховатости поверхности | Ra≦3 (namelyra≦0. 3nm) |
| Неровность задней поверхности (Ra) | Ra = 0,5 ~ 1,0 мкм |
'
