Монокристаллическая силиконовая Вафля (однобоковая полировка)

Особенности: Кремний высокой чистоты кремния один кристалл подложки, N/P Тип опционально, сопротивление 0,0001-100 евро, опционально

Произрастания рисунком: Czochralski

Кристаллическая направленность: [111]/[100]

Плоскость: & lt; 1 микрон (для измерения общей warpage)

Назначение: 1. PVD/CVD покрытие в качестве подложки

2. Используется в качестве XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующая электронная микроскопия), FTIR, флуоресцентный анализ спектра и тестирование подложки.Атомно-микроскоп

3. Образец несущей для синхротронного радиационного эксперимента

4. Основание для молекулярного пучка эпитакси

5. Технология полупроводниковой литографии и так далее

Примечание: другие размеры могут быть настроены и счета могут быть выставлены.

'