2 шт научные исследования на фотоэлектрон вафли 2-дюймовый GaAs N-type GaAs подложка вафли полупроводниковый материал

Арсенид галлия, химический GaAs, III-V компаунд полупроводника. Это сочетание мышьяка и галлия. Он имеет яркий серый внешний вид, металлический блеск, ломкость и твердость. Это современный международный правозаменитель. Самый зрелый компаундовый полупроводниковый материал после "кремния" обладает высокой частотой, высокой подвижностью электронов, высокой выходной мощностью, низким уровнем шума и хорошей линейностью. Это один из самых важных опорных материалов в оптоэлектронике и микроэлектронике.

В области применения оптоэлектронной промышленности, арсенид галлия один кристалл может быть использован для изготовления LD (лазер), светодиодный (светоизлучающий диод), оптоэлектронная интегральная схема (OEIC), фотогальваническое устройство и т. Д.

В области применения микроэлектроники, он может быть использован для изготовления MESFET (металлический полупроводниковый полевой транзистор), HEMT (высокоэлектронный транзистор подвижности), HBT (гетеросъемный биполярный транзистор), IC, микроволновый диод, устройство холла и т. Д.

В основном занимается использованием высококлассных военных электронных средств, оптических волоконных систем связи, широкополосных спутниковых беспроводных систем связи, испытательного оборудования, автомобильной электроники, лазера, освещения и других областях. Как важный полупроводниковый материал, GaAs имеет в пять раз больше электронной подвижности кремния и нитрида галлия, и имеет меньшую потерю мощности для микроволновых устройств малой и средней мощности. Поэтому он используется в мобильной связи, локальных беспроводных сетях, gps и автомобильных радарах. Господствующего положения.