Ультра-маленький диаметр 25,4 мм на полированной подложке 1 дюймов полупроводниковый высокочистый однокристальный кремниевый вафель

Название продукта:1 дюйм односторонняя полированная силиконовая пластина

Режим роста: Czochralski один кристалл (CZ)

Диаметр и допуск по уровню поверхности:25,4 ±0. 4 мм

Допинг Тип:N-тип (легированный фосфором, мышьяком и сурьмой) p-тип (легированный с бором)

С украшением в виде кристаллов направление:<100> <111>

Сопротивление:0,001-50 (Omega; & bull; cm) может быть настроен в соответствии с требованиями заказчика

Процесс передачи данных:Плоскостность TIR: <3μ м, варпаж TTV: <10μ м, кривизна лук <10μ м, шероховатость 0,5 нм, размер частиц; 10 (для размера; 0,3 μ м);

Обработка и изготовление на заказ:Клиентам нужны различные параметры, такие как модель, направленность, толщина, сопротивление и т. д. цикл обработки зависит от спецификаций и параметров проекта Длительность 1-3 недели.

Введение в Применение:Он может быть использован для анализа и тестирования субстратов, таких как carriers радиационные носители образцов, PVD/CVD покрытия как подложки, магнетронного распыления образцов роста, XRD, SEM, атомная сила, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, субстраты роста эпитаксии молекулярного луча, рентгеновский анализ кристаллических полупроводников и т. Д.