
Спецификация: 2 & quot; (50,8 мм) × 0. 4mmone-двусторонняя полировка,Кристаллизации направление:<0001>,Namelycaxis, пятна.
Принимаем настройки размера
Сапфировые подложки также могут быть использованы для эпитакси в полупроводниковой промышленности, и используется для изготовления. Светодиодный также является лабораторным исследованием (как epitaxy чип, epitaxy однокристальная пленочная подложка).


| Материал | Высокая чистота один кристалл Al2O3 |
| Ориентации | C самолет (0001) & plusmn; 0,3 & deg; |
| Угол отклонения до оси м | 0,20 ± 0,05 ° |
| Угол отклонения до оси а | 0,0 ± 0,1 ° |
| Диаметр dismeter | 50,8 ±0. 15 мм |
| Толщина | 330μm/430μm±25μm |
| Общая толщина отклонение TTV | <10μ м |
| Шероховатость поверхности МДП | Меньше, чем 10μ м |
| Кривизны WARP | Меньше, чем 15μ м |
| Коробление лук | -10 ~ 0μm |
| Первичное плоское расположение в направлении самолета | Самолет (11-20) |
| Плоский угол выключения | 0,0 ± 0,2 ° |
| Длина края Первичная плоская длина | 16±0. 5 мм |
| Frontside прибор шероховатости поверхности | RA <3 (т. е. Ra <0,3 нм) |
| Неровность задней поверхности (Ra) | Ra = 0,5 ~ 1,0 мкм |