
Технические характеристики изделия:
1 Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 20*20 мм
3 SiO2 толщиной 300 нм
4 Толщина: 500um
5 Модель: Тип P
6 сопротивление: 0,0003-0,0005/Ω ● см
7 направление: <100>
8 полированный: Односторонний полированный
9. основные области применения: PVD/CVD покрытие подложки, магнетронное распыление, XRD, SEM, образец атомной силы роста, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентный спектроскопический анализ подложки, подложка, Молекулярный луч эптриосного роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.






