Одна сторона полированная монокристаллического Si подложки 8 мм * 8 мм/высокой чистоты кремниевой подложке/биологического носителя

Описание

Технические характеристики:

1. Материал: Высокая чистота кремния

2. Длина: 8 мм

3. Ширина: 8 мм

4. Толщина: 650um, 725um

5. Сопротивление: 0.001-50/Ω∙cm

6. Ориентация: <100>

7. Лак: односторонняя полировка

8. плоскость: <1 микрометр

9. Основное применение: Для процесса synchrotron облучения образец носителя, pvd/CVD покрытие подложек, магнетрон sputtering, XRD, SEM, рост выборочной атомной силы, инфракрасная спектроскопия, анализ флуоресценции спектроскопии, подложка, подложка, молекулярный луч эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.