4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивления 8-12 Ом * см/кремниевых пластин толщина 525um/ двойной кислорода
Цена: $80
есть в наличии
Реклама: ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158
Описание
Храктеристика устройства:
1 материал: силикон высокой чистоты
2 Размер: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100 ± 0,4 мм
4 Толщина: 525um
Толщина оксида 5: 300 нм
6 Модель: P
7 Технические характеристики: двойной кислород
8: сопротивление 8-12 Омега/см
9 направление кристаллов: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, образец роста атомных сил, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный лучевой эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Стандартный
- GB
- Габаритные размеры
- Oxide thickness 300nm
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon
Для покупки товара 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивления 8-12 Ом * см/кремниевых пластин толщина 525um/ двойной кислорода нажмите кнопку "купить сейчас".
Если вы хотите купить другой товар из категории обустройство дома или комплектующие то перейдите по ссылкам вверху страницы.