4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 Ом/см дюйм/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um
Цена: $100
есть в наличии
Реклама: ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158
Описание
Храктеристика устройства:
1) Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100±0. 4 мм
4) Толщина: 525um
5 толщина оксида: 200 нм
6 Модель: P
7 характеристики: двойной кислород
8:Сопротивление0,001-0,005/Омега•См
9 направление: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, прирост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Стандартный
- GB
- Габаритные размеры
- Oxide thickness 200nm
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon
Для покупки товара 4 дюйма SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 Ом/см дюйм/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 525um нажмите кнопку "купить сейчас".
Если вы хотите купить другой товар из категории обустройство дома или комплектующие то перейдите по ссылкам вверху страницы.