4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/Сопротивление 0.01-0.02 ОМ * см/двойной кислорода/кремниевых пластин толщина 525um
Цена: $80
есть в наличии
Реклама: ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158
Описание
Код Параметры:
1 материал: высокая чистота кремния
2 размера: 4 дюйм(ов)
3 диаметр и допуск: 100 ± 0.4 мм
4 Толщина: 500um
5 толщина оксида: 500нм
6 Модель: p
7 характеристики: двойной кислород
8: Сопротивление 0.01-0.02 Омега/см
9 направление кристалла: <100>
Полировка: двуокись кремния
11 основных применений: pvd/CVD покрытие, магнетрон спутник, XRD, sem, выборочный рост атомных сил, инфракрасная спектроскопия, флюоресценционная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный луч эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Габаритные размеры
- Oxide thickness 500nm
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon
Для покупки товара 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/Сопротивление 0.01-0.02 ОМ * см/двойной кислорода/кремниевых пластин толщина 525um нажмите кнопку "купить сейчас".
Если вы хотите купить другой товар из категории обустройство дома или комплектующие то перейдите по ссылкам вверху страницы.