4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/Сопротивление 0.01-0.02 Ом/см/модель = двойной кислорода
Цена: $80
есть в наличии
Реклама: ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158
Описание
Храктеристика устройства:
1) Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100±0. 4 мм
4) Толщина: 525um
5 толщина оксида: 50 нм
6 Модель: P
7 Технические характеристики: перекись водорода
8:Сопротивление0,01-0,02/Омега•См
9 направление: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, прирост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Габаритные размеры
- Silicon wafer thickness 525um/Oxide thickness 50nm
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon
Для покупки товара 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/Сопротивление 0.01-0.02 Ом/см/модель = двойной кислорода нажмите кнопку "купить сейчас".
Если вы хотите купить другой товар из категории обустройство дома или комплектующие то перейдите по ссылкам вверху страницы.