4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/Сопротивление 0.01-0.02 ОМ * см/модель = один кислорода/ кремниевых пластин толщина 500um
Цена: $100
есть в наличии
Реклама: ООО "АЛИБАБА.КОМ (РУ)" ИНН: 7703380158
Описание
Храктеристика устройства:
1) Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100 ± 0,4 мм
4 Толщина: 500um
5 толщина оксида: 500 нм
6 Модель: P
7 характеристики: одиночный кислород
8: Сопротивление 0,01-0,02 Омега/см
9 направление: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, прирост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Габаритные размеры
- Oxide thickness 500nm
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon
Для покупки товара 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/Сопротивление 0.01-0.02 ОМ * см/модель = один кислорода/ кремниевых пластин толщина 500um нажмите кнопку "купить сейчас".
Если вы хотите купить другой товар из категории обустройство дома или комплектующие то перейдите по ссылкам вверху страницы.