
| Характеристики продукта | Выберите все |
| Категория | Дискретная полупроводниковые |
|---|---|
| Семья | Транзисторы-FETs, мосфеты-одиночные |
| Производитель | Инф технологии |
| Серия | CoolMOS™ |
Упаковка![]() | Трубка![]() |
| Состояние части | Для активного отдыха |
| Полевого транзистора Тип | MOSFET n-канал, оксид металла |
| Полевого транзистора Особенности | Стандартный |
| Слив в исходное напряжение (Vdss) | 650 V |
| Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C | 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 МОм @ 44а, 10 в |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3,5 V @ 3mA |
| Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) @ Vds | 6800pF @ 100 V |
| Мощность-макс | 431 W |
| Операционной Температура | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Монтажный Тип | Сквозное отверстие |
| Посылка/Чехол | TO-247-3 |
| Информация о поставщике устройство посылка | PG-TO247-3 |
