| Datasheets | AUIRFS8409-7P |
| Модули тренировки продукта | Дискретные мосфеты питания 40 в и ниже |
Стандартный посылка | 50 |
| Категория | Дискретная полупроводниковые |
| Семья | Fetы-одиночный |
| Серия | HEXFET & reg; |
Упаковка | Трубка |
| Полевого транзистора Тип | MOSFET n-канал, оксид металла |
| Полевого транзистора Особенности | Стандартный |
| Слив в исходное напряжение (Vdss) | 40 V |
| Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C | 240A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0,75 МОм @ 100А, 10 в |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3,9 В @ 250 & micro; A |
| Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 460nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) @ Vds | 13975pF @, алюминиевая крышка, 25В |
| Мощность-макс | 375 W |
| Монтажный Тип | Для поверхностного монтажа |
| Посылка/Чехол | TO-263-7, D²Pak (6 проводов + таб) |
| Информация о поставщике устройство посылка | D2PAK (7-свинец) |
| Другое имена | IRAUIRFS8409-7P |