Галлия core фотоэлектрический GT-ABC-L концентрация озона обнаружения датчик ультрафиолетового

Нитрид галлия (GaN)-новый тип полупроводникового материала. Потому что он имеет большой зазор и не поглощает видимый свет, это наиболее распространенный материал УФ-датчика. УФ-датчики GaN обладают преимуществами небольшого размера, высокой чувствительности, сильной устойчивостью к видимым световым помехам, низким энергопотреблением и длительным сроком службы. Ранние УФ-датчики были основаны на кремнии, но из-за того, что фотодиоды на основе кремния сильно реагировали на видимый свет и образовали нежелательные электрические сигналы, точность измерения не была высокой; гановые УФ-датчики точно превышают eigenfunction кремниевых фотодиодов. Ограничения, его точность намного выше, чем кремниевый УФ-датчик.