
Этот кремниевый чип является лучшим положительным, поверхностная плоскость.ОднородностьХорошая, отличная электрическая производительность, точное Удельное сопротивление, высокая продолжительность жизни несущей! Одиночная Вафля, кристальная направленность, удельное сопротивление опционально!
Доступно для клиентов, лазерная резка, лазерная надпись, открытие вафли, окисление, покрытие, чистый, фотолит, травление и другие круглые услуги по обработке;
| Параметры продукта | |||
| Размер продукта | Primelevel4Inch полированная пластина | ||
| Модель роста | CZ один кристалл/Зона плавления одного кристалла (CZ/FZ) | ||
| Диаметр и tolerancemm | 100,2 ±0. 3 мм | ||
| Модель/допинг Тип | N/pфосфор, мышьяк, Бор может быть доставлен или настроен в соответствии с требованиями заказчика | ||
| С украшением в виде кристаллов ориентации | <111> \ <100> \ <110> может быть доставлен или настроен в соответствии с требованиями заказчика | ||
| Сопротивление | 0,001-20000 (Ω · cm) может быть доставлен или настроен в соответствии с требованиями заказчика | ||
| PlanenessSTIR | <1 μМ | ||
| WarpageTTV | <3 мкм | ||
| CrookedBOW | <5 мкм | ||
| RoughnessRa | <0.5nm | ||
| Granularitypewaferr | <10 семян (размер> 0,3 мкм) | ||
| Способ упаковки | 1 чип упаковка, 5 чип упаковка, 10 чип Инкапсуляция, 25 Ультра чистая и беспылевая алюминиевая фольга вакуумная упаковка; | ||
| Толщина существующих stockμm | Двойной throw200-2000 μm, одиночный throw150-5000 μmAvailable во всех толщинах; | ||
| Цель | Носитель образцов для синхротронного излучения, такого как процесс, PVD/CVDCoating как подложка, магнетронное распыление, образец роста, XRD, SEM, атомная сила, инфракрасный спектр, флуоресцентный спектр и другие аналитические тестовые подложки, Подложка для MBE рост, XX-ray анализ кристаллическая полупроводниковая литография, обработка полупроводниковых устройств, и т. д.! | ||