
| Тип параметра | СиТехническими показателями |
| Размер продукта | 8 ВеликобританииДюймов |
| Метод роста | Czochralski один с украшением в виде кристаллов(CZ) |
| Обработка поверхности | На одной сторонеПолировка |
| Диаметр толерантность | 200 мм±0,3 мм |
| Допинг Тип | Ptype |
| С украшением в виде кристаллов ориентации | 100 |
| ResistivityΩ | 1-50 Ω. См |
| ПланенессМДП | <3um |
| Коробление градусовTTV | <10um |
| КривизныЛук | <10um |
| ПолировкаШероховатостьРА | <1nm |
| ЗернистостьPewaferr | <(Для размера>0.3um) |
| ТолщинаUm | 700um |
| Цель | Носители образцов для процесса isosynchrotron излученияLPCVD/PECVDCoating as Substrate, образцы, выращенные магнетронным распылением, XRD, SEM,АСМ、 Инфракрасном спектреФлуоресцентная спектроскопия и другой анализ и измерение субстратов, база, выращенная молекулярным пучком эпитакси, XX-ray анализ кристаллических полупроводниковИ многих других видов использования в научном исследовании |
Ниже приведены живые фотографии








