
Тип 1: двустороннее окисление 100 нм
Тип 2: двустороннее окисление 300 нм
Тип 3: одностороннее окисление 100 нм
Тип 4: одностороннее окисление 300 нм

| Тип параметра | Sio2Технический индекс |
| Размер продукта | 4ДюймовSIO2Кремниевая Пластина |
| Метод подготовки | Термическое окисление |
| Поверхность | На одной стороне полировка/Двусторонняя окисления |
| Вафли Диаметр | 100,2±0,3 мм |
| Тип | PТипСигнал/шумТип |
| С украшением в виде кристаллов ориентации | 100 |
| ResistivityΩ | <0,05 Ω. СмДругое адаптируемые под требования заказчика |
| ПланенессМДП | <3um |
| КороблениеTTV | <10um |
| Степень изгибаЛук | <10um |
| ШероховатостьРА | <0.5nm |
| ЗернистостьPewaferr | <(Для размера>0.3um) |
| Толщина оксидного слоя | 100Nanometer200Nanometer285Nanometer300Nanometer500Nanometer1000Nanometer2000Nanometer |
| ТолщинаUm | 300-500um |
| Цель | 1, измерение скорости травления 2, проверка проводки металла 3, металлические пластины 4, Электрический изоляционный слой |
| Необходимо обрабатывать клиентский цикл | 5 ~ 15 рабочих днейРабочие дни (как правило, это зависит от количества и технического указателя.) |