
| Тип параметра | СиТехнический индекс |
| Размер продукта | 2 великобританииДюймов |
| Метод роста | CZ Одноместный с украшением в виде кристаллов (Cz) |
| Обработка поверхности | Двухсторонняя растяжкаПолировка |
| Диаметр толерантность | 50,8±0,3 мм |
| Допинг Тип | Ptype (легированный бор) |
| С украшением в виде кристаллов ориентации | 100 |
| ResistivityΩ | 0,001-1Ω. См |
| ПланенессМДП | <3um |
| КороблениеTTV | <10um |
| Степень изгибаЛук | <10um |
| ПолировкаШероховатостьРА | <0.5nm |
| ЗернистостьPewaferr | <(Для размера>0.3um) |
| ТолщинаUm | 380±10um |
| Цель | Носители образцов для процесса изосинхротронного излучения.LPCVD/PECvdпокрытие как подложка, образцы, выращенные магнетронным напылением, XRD, SEM,АСМ、 Инфракрасном спектреФлуоресцентная спектроскопия и другой анализ и измерение субстратов, база, выращенная молекулярным пучком Epitaxy, XX-ray анализ хрустальных полупроводниковИ многие другие исследования используются. |




